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Influence de la technique de dépôt d'isolant et des modes de décapage du semiconducteur sur les propriétés électriques de structures métal-Al 2O3-InP

Rev. Phys. Appl. (Paris), 18 12 (1983) 769-773
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018012076900