Rev. Phys. Appl. (Paris) 2, 45-51 (1967)
DOI: 10.1051/rphysap:019670020104500

Détection des radiations infrarouges par variation de la réflectivité des semiconducteurs

Do Khac Manh et Roland Coelho

Laboratoire Central des Industries Électriques à Fontenay-aux-Roses, Seine

Abstract
Absorption, by a doped semiconductor sample, of infrared radiation of wavelength λ smaller or equal to the absorption edge λg changes the reflectivity of the sample for λ ≽ λg, due to of the absorption of the photo-excited free carriers. A reciprocal relation between the intensity of the exciting radiation and the intensity of the reflected radiation has been established. As confirmed by preliminary observations, the principle should permit a new kind of detection and amplification of infrared radiation useful in space communications.

Résumé
L'absorption par un semiconducteur dopé, d'une radiation infrarouge de longueur d'onde λ ≤ λg, λg étant la longueur d'onde du seuil d'absorption, change la réflectivité de l'échantillon pour λ ≽ λg, à cause de l'absorption des porteurs photo-excités. On a établi une relation biunivoque entre l'intensité de la radiation excitatrice et celle de la radiation réfléchie. Comme l'ont montré des expériences préliminaires, le principe ci-dessus devrait pouvoir être appliqué à un nouveau type de détection et d'amplification du rayonnement infrarouge, particulièrement intéressant dans le domaine de l'espace.

PACS
7420 - Particle and radiation detection and measurement.
7800 - Optical properties and condensed matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation.
7220 - Electrical conductivity phenomena in semiconductors and insulators.

Key words
radio receivers -- particle detectors -- semiconductor devices -- light absorption -- reflectivity -- semiconductors