Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 3, Numéro 3, septembre 1968
Page(s) 257 - 262
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196800303025700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 3, 257-262 (1968)
DOI: 10.1051/rphysap:0196800303025700

Effets capacitifs liés à la charge d'espace dans un semi-conducteur avec électrodes bloquantes

R. Meaudre et G. Mesnard

Laboratoire d'Électronique et de Physique du Solide, Faculté des Sciences de Lyon


Abstract
The equivalent complex dielectric constant of a semiconductor is calculated, taking into account space charges produced by electron transfer between donor level and conduction band.


Résumé
On a calculé la constante diélectrique complexe équivalente d'un semi-conducteur en faisant intervenir les charges d'espace liées aux transferts d'électrons entre le niveau donneur et la bande de conduction.

PACS
7000 - Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties.
7220 - Electrical conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
2550 - Semiconductor device technology.

Key words
dielectric properties of substances -- semiconductor materials -- semiconductors -- space charge