Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 4, Numéro 2, juin 1969
Page(s) 275 - 277
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196900402027500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 4, 275-277 (1969)
DOI: 10.1051/rphysap:0196900402027500

Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs

P. Siffert, G. Forcinal et A. Coche

Centre de Recherches Nucléaires, Strasbourg-Cronenbourg


Abstract
The pulse height defect due to nuclear collisions is measured for 4He, N, Ne ions (30-150 keV) impinging on a gold-silicon surface barrier detector. The results are compared with Lindhard's theory and are in good agreement.


Résumé
On a déterminé le défaut de hauteur d'impulsion dans les diodes à barrière de surface bombardées par des ions He+, N+ et Ne + d'énergies comprises entre 30 et 150 keV. L'influence des collisions nucléaires et de la canalisation des ions est plus spécialement analysée.

PACS
2940P - Semiconductor detectors.
6180M - Channelling, blocking and energy loss of particles.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.

Key words
radiation effects -- semiconductor counters