Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 4, Numéro 4, décembre 1969
Page(s) 477 - 480
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0196900404047700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 4, 477-480 (1969)
DOI: 10.1051/rphysap:0196900404047700

Relations entre les diverses mobilités des trous dans le silicium p

J. Mercier

Ingénieur C.N.R.S., L.E.P.M., Section Physique des Couches Minces, Cedex 166, 38-Grenoble-Gare


Abstract
The results of the calculation of the majority carriers mobility of semiconductors, using the Corbino disk, are explained for p type silicon by the existence of two kinds of holes. The known values of their masses' ratio, and the hypothesis of a scattering process by acoustical phonons give the correct value for the ratio of magnoteresistance to drift mobilities.


Résumé
Les résultats de calcul de mobilité des porteurs majoritaires dans les matériaux semiconducteurs, à partir de la géométrie de Corbino, sont interprétés dans le cas du silicium p par la contribution des deux espèces de trous. Les valeurs connues du rapport de leurs masses, ainsi que l'hypothèse d'un mécanisme de dispersion par phonons acoustiques rendent compte du facteur correctif qui relie la mobilité de magnétorésistance de Corbino à la mobilité de conductivité.

PACS
7220F - Low-field transport and mobility; piezoresistance.

Key words
Hole mobility -- Electron phonon interaction -- Acoustical phonons -- Hall effect -- Magnetoresistance -- Calculation methods -- Silicon -- Theoretical study