Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 6, décembre 1970
Page(s) 901 - 901
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000506090101
Rev. Phys. Appl. (Paris) 5, 901-901 (1970)
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090101

4. Expériences sur des jonctions InAs-oxyde-Pb

D.C. Tsui

Bell telephone Laboratories, Incorporated Murray Hill, New Jersey

Without abstract


PACS
7340G - Tunneling.

Key words
Tunnel effect -- Tunnel junction -- Indium arsenides -- Oxides -- Lead -- MOS junctions

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