Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 6, décembre 1970
Page(s) 905 - 905
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000506090500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 5, 905-905 (1970)
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090500

15. Influence d'un bombardement ionique sur des jonctions tunnel métal-semiconducteur

G. Schreder et P. Guétin

Laboratoire d'Electronique et de Physique Appliquée, 94, Limeil, Brévannes, France

Without abstract


PACS
7340G - Tunneling.

Key words
Radiation effects -- Ion beams -- Electrical conductivity -- Surface states -- Tunnel effect -- Metal-semiconductor contacts -- Gallium arsenides

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