Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 6, décembre 1970
Page(s) 906 - 906
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000506090600
Rev. Phys. Appl. (Paris) 5, 906-906 (1970)
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090600

18. Étude de l'effet tunnel assisté par des impuretés dans le GaAs

C.B. Duke1, R.D. Burnham2, N. Holonyak2 et H.W. Korb2

1  Département de Physique, Materials Research Laboratory and Coordinates Sciences Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois. A. M. Andrew
2  Departement of Electrical Engineering and Material Research Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois

Without abstract


PACS
7340G - Tunneling.

Key words
Tunnel effect -- Voltage current curve -- Impurity -- Gallium arsenides -- Semiconductor materials -- Experimental study

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