| Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 6, décembre 1970
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| Page(s) | 906 - 906 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000506090600 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 5, 906-906 (1970)
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090600
1 Département de Physique, Materials Research Laboratory and Coordinates Sciences Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois. A. M. Andrew
2 Departement of Electrical Engineering and Material Research Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois
PACS
7340G - Tunneling.
Key words
Tunnel effect -- Voltage current curve -- Impurity -- Gallium arsenides -- Semiconductor materials -- Experimental study
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090600
18. Étude de l'effet tunnel assisté par des impuretés dans le GaAs
C.B. Duke1, R.D. Burnham2, N. Holonyak2 et H.W. Korb21 Département de Physique, Materials Research Laboratory and Coordinates Sciences Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois. A. M. Andrew
2 Departement of Electrical Engineering and Material Research Laboratory. Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, Urbana, Illinois
Without abstract
PACS
7340G - Tunneling.
Key words
Tunnel effect -- Voltage current curve -- Impurity -- Gallium arsenides -- Semiconductor materials -- Experimental study
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