Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 5, Numéro 6, décembre 1970
Page(s) 907 - 907
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197000506090700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 5, 907-907 (1970)
DOI: 10.1051/rphysap:0197000506090700

20. Structures tunnel dopées par implantation d'ions

F. Mezei1 et E. Maydell2

1  Central Research Institute for Physics, Budapest, Hongrie
2  Ondrusz, Institute for Nuclear Physics, Krakow, Poland

Without abstract


PACS
7340G - Tunneling.

Key words
Electron-impurity interactions -- Ion implantation -- Tunnel effect

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