Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 6, Numéro 1, mars 1971
Page(s) 19 - 22
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019710060101900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 6, 19-22 (1971)
DOI: 10.1051/rphysap:019710060101900

Une méthode impulsionnelle de mesure de la durée de vie des porteurs injectés dans la zone centrale d'une structure pin

J. Barrau, L. Bailon, J.-C. Brabant et M. Brousseau

Laboratoire de Physique des Solides, associé au C. N. R. S. Faculté des Sciences et I. N. S. A. 118, route de Narbonne, 31, Toulouse (04)


Abstract
Usual methods for carrier-lifetime measurements in PIN structures give effective carrier-lifetimes corresponding to recombinations processes which occur in the whole structure (middle region and hightly-doped ends P + and N+). We propose a pulse-method for measuring carrier-lifetime in the bulk of the middle region.


Résumé
Les méthodes usuelles [1 à 7] de mesure de la durée de vie des porteurs dans les diodes PIN permettent la détermination d'une durée de vie effective correspondant à la recombinaison totale dans la structure [7] : zone centrale (I) et extrémités fortement dopées (P+ et N+). Nous proposons une méthode impulsionnelle, de mise en oeuvre facile dans le cas de durées de vie longues (> 0,1 μs) ; nous l'interprétons comme une mesure de la durée de vie en volume dans la zone centrale.

PACS
0750 - Electrical instruments and techniques.
7220 - Electrical conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
7340 - Electrical and electronic properties of interfaces.
2530B - Semiconductor junctions.
2530 - Semiconductor junctions and interfaces.
2550 - Semiconductor device technology.
2560H - Junction and barrier diodes.

Key words
semiconductor junctions -- semiconductors -- carrier lifetime measurements -- pulse method -- PIN structures -- recombination processes