Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Numéro 2, mars 1974
Page(s) 354 - 354
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197400902035400
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 354-354 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400902035400

Utilisation quantitative du courant induit en microscopie électronique à balayage pour l'étude des composants silicium

J.F. Bresse

LETI/ME, C. E. N. G., BP 85, Centre de Tri, 38041 Grenoble, France


Abstract
We show, in this paper, how the Electron Beam Induced Current (E. B. I. C.) can be used quantitatively on Silicon planar devices for the determination of some physical parameters : diffusion length of minority carriers L , surface recombination velocity S, mobility lifetime product of electrons in Silicon dioxide (μτ).


Résumé
Nous montrons comment le courant induit peut être utilisé sur des dispositifs Silicium planar pour la détermination de certains paramètres physiques : longueur de diffusion des minoritaires (L), vitesse de recombinaison de surface (S), produit mobilité durée de vie des électrons dans l'oxyde (SiO2).

PACS
0778 - Electron, positron, and ion microscopes; electron diffractometers.
7361C - Elemental semiconductors.

Key words
Scanning electron microscopy -- EBIC -- Silicon -- Planar device -- Carrier mobility -- Minority carriers -- Lifetime -- Surface recombination -- Si