Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Numéro 2, mars 1974
Page(s) 377 - 384
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 377-384 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400902037700

The back scattering of electrons by crystals at low and high energies

R.M. Stern

Department of Physics, Polytechnic Institute of Brooklyn, N. Y. 11201, U. S. A.

Electron scattering can be used as a tool for the study of crystalline surfaces, and for the study of defects in the région of the surface, at all energies. It is shown that contrast from diffraction effects appears in all parts of the secondary électron spectrum. This permits a variety of measurements of both the elastic and inelastic back scattered current to be used for metallurgical studies, especially in the high resolution scanning électron microscope at high électron energies. Scanning techniques at low énergies should also prove useful, and évidence is presented for the existence of similar effects down to 100 eV.

La diffusion des électrons peut être utilisée à toutes énergies pour étudier les surfaces cristallines. Nous montrons que le contraste dû à des plans cristallins réflecteurs existe pour toutes les composantes du spectre de secondaires. Ceci permet l'utilisation du courant dû aux électrons rétrodiffusés élastiques et même aux inélastiques, pour les études métallurgiques, spécialement dans le microscope à balayage de haute résolution à haute énergie. On a mis en évidence les mêmes effets jusqu'à 100 eV, et nous proposons d'utiliser aussi la technique de balayage dans cette gamme d'énergie.

6116D - Electron microscopy determinations of structures.
6820 - Solid surface structure.

Key words
electron microscopy -- particle backscattering -- surface structure -- back scattering -- electrons -- high energies -- crystalline surfaces -- elastic -- inelastic -- metallurgical studies -- high resolution scanning electron microscope -- scanning techniques -- low energies -- surface defects -- contrast formation