Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 9, Numéro 6, novembre 1974
Page(s) 973 - 979
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0197400906097300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 9, 973-979 (1974)
DOI: 10.1051/rphysap:0197400906097300

Étude de la diffusion de l'argent dans les cristaux de Cds par la méthode capacitive

J.-P. Sorbier et N. Sanguinetti

Laboratoire de Photoélectricité, Université de Provence, 13397 Marseille Cedex 4, France


Abstract
The capacitance method allows us to follow the evolution of the space-charge profile of a metal semiconductor contact due to diffusion. The aim of our work is to test this method by studying the diffusion of silver in CdS crystals between 100 °C and 300 °C with firing times below 20 h.


Résumé
La méthode capacitive permet de suivre l'évolution du profil de la charge d'espace du contact métal-semiconducteur occasionnée par la diffusion. Le but de ce travail est de tester cette méthode en étudiant la diffusion de l'argent dans le CdS entre 100 °C et 300 °C avec des temps de recuits inférieurs à 20 h.

PACS
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2530D - Semiconductor metal interfaces.

Key words
cadmium compounds -- diffusion in solids -- II VI semiconductors -- semiconductor metal boundaries -- silver -- space charge -- space charge profile -- Ag -- 100 to 300 degrees C -- diffusion -- CdS -- capacitance method -- metal semiconductor contact