Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 10, Numéro 4, juillet 1975
Page(s) 183 - 186
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01975001004018300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 10, 183-186 (1975)
DOI: 10.1051/rphysap:01975001004018300

Influence de la température sur le taux de pulvérisation de cibles de silicium et germanium

J. Nizam et N. Benazeth-Colombie

Laboratoire de Physique des Solides , Université Paul-Sabatier, 118, route de Narbonne, 31077 Toulouse Cedex, France


Abstract
Si and Ge single crystal targets were bombarded with high doses of 40 keV Ar+ ions ( > 10^17 ions/cm2). The variation of the sputtering yield S as function of the target temperature (50-500°C) has been studied. The measurements of S lead to a determination of the annealing temperature (~ 350 °C for Ge and ≳ 400 °C for Si). The sputtering yields of perfect single-crystal Ge targets have been measured.


Résumé
Nous avons étudié, en fonction de la température (50-500°C) la variation du taux de pulvérisation S de cibles monocristallines de Si et de Ge, bombardées par de fortes doses ( > 10^17 ions/cm2) d'ions Ar + ayant une énergie de 40 keV. Ces mesures de S ont permis de déterminer les conditions de température des cibles dans lesquelles on ne perturbe pas la structure du réseau cristallin (~ 350 °C pour le Ge et ≳ 400°C pour le Si). Nous avons déterminé également les taux de pulvérisation caractéristiques des monocristaux parfaits de Ge.

PACS
7920R - Atomic, molecular, and ion beam impact and interactions with surfaces.

Key words
elemental semiconductors -- germanium -- silicon -- sputtering -- sputtering yield -- 40 KeV Ar sup + ions -- annealing temperature -- Si targets -- Ge targets -- target temperature dependence