Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 10, Numéro 6, novembre 1975
Page(s) 367 - 377
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01975001006036700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 10, 367-377 (1975)
DOI: 10.1051/rphysap:01975001006036700

Diffusion raman spin-flip dans les semiconducteurs

E. Amzallag

Laboratoire de Physique des Solides, associé au C. N. R. S. Université Paris VI, 4, place Jussieu, 75005 Paris, France


Abstract
The study of Raman scattering by mobile electrons in a magnetic field through the spin-flip process is of multiple interest : a better knowledge of the scattering mechanism itself, the determination of the g-factor for the free electrons which is related to the band structure of the material, and above all the generation of a stimulated radiation which leads to the achievement of coherent and intense sources, whose wavelength can be continuously tuned through the applied magnetic field. This talk reviews the main results obtained during the previous years, while it presents some of our own results in CdS pumped by an Argon laser (5 145 A) and in InSb pumped by a CO2 laser (10.6 μm).


Résumé
L'étude de la diffusion Raman sur les porteurs libres d'un semiconducteur en présence d'un champ magnétique suivant le processus d'inversion du spin (spin-flip) présente un intérêt multiple : meilleure connaissance du mécanisme de diffusion lui-même, détermination du facteur g des porteurs libres en rapport avec la structure de bandes du matériau étudié, enfin et surtout génération d'une émission stimulée pouvant conduire à la réalisation de sources lumineuses cohérentes et intenses, de longueur d'onde continûment accordable au moyen du champ magnétique appliqué. Cet exposé passe en revue les principaux résultats obtenus ces dernières années, en même temps qu'il présente quelques-uns de nos propres résultats dans CdS pompé avec un laser à argon (5 145Å), et dans InSb pompé avec un laser à CO2 (10,6 μm).

PACS
7830 - Infrared and Raman spectra.

Key words
Raman scattering -- Spin flip -- Spontaneous scattering -- Stimulated scattering -- Band structure -- Interband transitions -- Semiconductor materials