Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 11, Numéro 2, mars 1976
Page(s) 279 - 284
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01976001102027900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 11, 279-284 (1976)
DOI: 10.1051/rphysap:01976001102027900

Threshold energy determination in thick semiconductor samples

J.C. Bourgoin, P. Ludeau et B. Massarani

Groupe de Physique des Solides de l'E. N. S. , Université Paris V, Tour 23, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France


Abstract
A description of the calculation of the cross-section for the atomic displacement σ by energetic electrons, versus penetration depth x, is given. Curves of σ(x) computed for various values of the threshold energy for displacement are given in the case of silicon. The profiles of the concentration of the defects introduced by electron irradiation of various energies in silicon is determined from capacitance-voltage measurements on gold-silicon Schottky diodes. The measurement of the defect creation rates at zero depth gives 20.5 ± 1 eV for the threshold energy.


Résumé
On décrit un calcul de la section de capture σ pour le déplacement atomique par des électrons énergétiques en fonction de la pénétration x. On donne les courbes de σ(x), calculées pour différentes valeurs de l'énergie du seuil de déplacement, dans le cas du silicium. On détermine ensuite les profils de concentration de défauts introduits dans le silicium par irradiation avec des électrons d'énergies variées en utilisant des mesures de capacité-tension sur des diodes Schottky or-silicium. La mesure des taux de création à profondeur nulle donne une valeur de l'énergie de seuil égale à 20,5 ± 1 eV.

PACS
6170B - Interstitials and vacancies.
6180F - Electron and positron effects.

Key words
electron beam effects -- elemental semiconductors -- semiconductor defects -- silicon -- vacancies crystal -- thick semiconductor samples -- penetration depth -- defect creation rates at zero depth -- threshold energy determination -- cross section for atomic displacement -- energetic electron bombardment -- Si -- defect concentration profiles -- capacitance voltage measurements -- AuSi Schottky diodes