Rev. Phys. Appl. (Paris) 11, 393-396 (1976)
DOI: 10.1051/rphysap:01976001103039300

Étude par photocapacité des centres profonds dans Gap

G. Vincent, D. Bois, J.J. Marchand et P. Pinard

Laboratoire de Physique de la Matière , Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 69621 Villeurbanne, France

Abstract
We report photocapacitance measurements made on GaP samples obtained by vapour or liquid epitaxy or by L. E. C. In addition to oxygen, which appears in GaP vapour, two other defects were detected. They introduce energy levels at 1 and 1.5 eV below the conduction band and were also observed in materials prepared from the liquid phase.

Résumé
Nous rapportons les résultats de mesures photocapacitives effectuées sur des échantillons de GaP obtenus par épitaxie vapeur ou liquide et par L. E. C. En plus de l'oxygène qui apparaît dans GaP vapeur, deux défauts ont été détectés. Ils introduisent des niveaux situés à 1,5 et 1 eV respectivement au-dessous de la bande de conduction et ont été observés dans des matériaux préparés en phase liquide.

PACS
7155 - Impurity and defect levels.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.
4210 - Photoconducting materials and properties.

Key words
gallium compounds -- III V semiconductors -- photovoltaic effects -- semiconductor defects -- GaP -- defects -- energy levels -- photocapacitance measurement