Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 141-146 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202014100

Improvements in the manufacture of CdTe gamma ray detectors

S. Brelant¹, M. Elliott², G. Entine³ et S. Hsu<sup>3

1</sup>  The Aerospace Corporation, P. O. Box 92957, Los Angeles, California 90009, U. S. A.
²  Space and Missile Systems Organization Los Angeles Air Force Station, Los Angeles, California 90009, U. S. A.
³  Radiation Monitoring Devices, Inc., 6 Silver Lake Avenue, Newton, Massachusetts 02158, U. S. A.

Abstract
Significant improvements have been made in the quality of chlorine-doped CdTe crystals manufactured by the traveling heater method (THM). In addition, a marked reduction in the variation among ingots and within each ingot has been observed. These results were achieved by modifying the temperature control equipment for the crystal growth process.

Résumé
Des progrès notables ont été accomplis dans la qualité des cristaux de tellurure de cadmium dopés au chlore et préparés par la méthode de croissance en solvant THM. De plus, on a pu réduire considérablement les écarts de propriétés d'une tranche à l'autre d'un même lingot et une meilleure reproductibilité d'un lingot à l'autre. Nous pensons que ces progrès sont liés à une amélioration du contrôle des températures dans les fours de tirage.

PACS
2940P - Semiconductor detectors.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
7420 - Particle and radiation detection and measurement.

Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- gamma ray detection and measurement -- II VI semiconductors -- semiconductor counters -- semiconductor growth -- temperature control equipment -- crystal growth -- CdTe:Cl -- melt growth -- II VI semiconductor -- travelling heater method -- gamma ray detector manufacture