Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 161 - 165
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202016100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 161-165 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202016100

CdTe Epitaxial films and their properties

S.N. Maximovsky, I.P. Revocatova, V.M. Salman, M. A. Selezneva et P.N. Lebedeu

Physics Institute Leninsky Prosjekt 53 Moscow, USSR


Abstract
Undoped and doped CdTe films of p and n type conductivity with a given deviation of film composition from stoichiometry, were grown by a vapour epitaxial technique by heating the substrate with light. Measurement results of electrophysical properties and film homogenity versus thickness are given. P-N junctions were produced by epitaxy, their properties being investigated with scanning a electron microscope.


Résumé
Des films de tellurure de cadmium ont été préparés par épitaxie par voie gazeuse sur un substrat chauffé par éclairement. Des couches dopées ou non, de type n ou p, présentant les écarts de stoechiométrie souhaités ont pu être obtenues. On présente ici leurs caractéristiques électriques et on discutera les problèmes d'homogénéité des couches. Par ailleurs, des jonctions p-n ont pu être réalisées, leurs propriétés ont été analysées au moyen d'un microscope électronique à balayage.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
8110B - Crystal growth from vapour.
8115J - Ion plating and other vapour deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530B - Semiconductor junctions.

Key words
cadmium compounds -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- II VI semiconductors -- p n homojunctions -- scanning electron microscope examination of materials -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- vapour phase epitaxial growth -- vapour epitaxial technique -- electrophysical properties -- scanning electron microscope -- photostimulated substrate heating -- n type -- II VI semiconductor -- CdTe film growth -- p type -- p n homojunction -- stoichiometry deviation