Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 189 - 193
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202018900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 189-193 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202018900

Carrier transport and trapping process in high-resistivity CdTe grown by a modified THM

T. Taguchi, J. Shirafuji et Y. Inuishi

Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University Suita, Osaka, Japan


Abstract
Carrier trapping and detrapping processes in high-resistivity p-type crystals grown by a travelling heater method which is modified to provide a Cd reservoir (modified THM) have been investigated using a time-of-flight method. It is found that the trapping centers are located at about 0.05 eV below the conduction band for electrons and at about 0.14 eV above the valence band for holes, respectively. The carrier transport properties have been simply analyzed by assuming the presence of only one type trap level for electrons and holes, respectively. The influence of the Cd overpressure on carrier trapping and detrapping is discussed. The best values of the observed trapping time are 360 ns for electrons and 1.0 μs for holes in the crystals grown under Cd over-pressures of about 5 × 10-3 atm.


Résumé
On a étudié les propriétés de piégeage et de dépiégeage des porteurs dans le tellurure de cadmium par la méthode du temps de vol. Les cristaux semi-isolants de type p étaient préparés par une méthode THM en solvant avec adjonction d'un réservoir de cadmium. On a observé, pour les électrons un centre de piégeage situé à 0,05 eV au-dessous de la bande de conduction et pour les trous, un niveau localisé à 0,14 eV environ au-dessus de la bande de valence. Ce résultat a été obtenu en supposant la présence d'un seul niveau respectivement pour les électrons et les trous. L'influence de la pression de cadmium sur les propriétés de piégeage des matériaux sera discutée. Les meilleurs valeurs du temps de piégeage que nous ayons obtenues sont de 360 ns pour les électrons et 1,0 μs pour les trous pour une supression de cadmium de 5 × 10 -3 atm environ.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- carrier mobility -- crystal growth from melt -- electron traps -- hole traps -- II VI semiconductors -- semiconductor growth -- time of flight spectra -- carrier transport properties -- Cd overpressure -- modified travelling heater growth -- trapping centres -- high resistivity p type CdTe crystal -- carrier detrapping -- II VI semiconductor -- time of flight method