Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 199-201 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202019900

E. P. R. characterization of p-type as grown and Cl-compensated THM grown CdTe

A. Goltzene et C. Schwab

Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France

Abstract
Electron paramagnetic signals have been observed in high resistivity p-type CdTe. At 4 K, beside transition ion signals, a strong light-induced g = 1.830 ± 0.002 line is observed in as-grown CdTe, and, even without illumination, a signal at g = 2.003 ± 0.001 appears in heavily-doped CdTe.

Résumé
Des signaux de résonance paramagnétique électronique ont été observés dans du CdTe de haute résistivité, de type p ; à 4 K, on observe toujours des raies dues aux ions de transition. Dans le matériau non dopé il apparaît, sous illumination, une raie intense à g = 1,830 ± 0,002. Dans CdTe, fortement dopé au Cl, une raie à g = 2,003 ± 0,001 est déjà présente sans excitation.

PACS
6170 - Defects in crystals.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- chlorine -- crystal defects -- crystal growth from melt -- II VI semiconductors -- paramagnetic resonance -- semiconductor growth -- as grown p type CdTe -- EPR -- CdTe:Cl -- travelling heater method -- defect analysis -- g factor -- II VI semiconductor