Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 203 - 204
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202020300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 203-204 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202020300

A study on solution (THM) grown Ti doped CdTe

F.V. Wald et R.O. Bell

Mobil Tyco Solar Energy Corporation, 16 Hickory Drive Waltham, Massachusetts 02154, U. S. A.


Abstract
The properties of cadmium telluride crystals doped with thallium have been investigated. This dopant was introduced during a THM growth process at 850 °C as T1Te, T15Te 3 or even as metallic thallium. Semi-insulating crystals (p-10 7 Ω. cm) have been obtained, but optical measurements have shown substantial precipitation.


Résumé
On a étudié les propriétés de cristaux de tellurure de cadmium dopés au thallium. Cette impureté a été introduite au cours de la croissance THM effectuée à 850 °C sous forme de T1Te, T15Te3 ou sous forme métallique. Des matériaux semi-isolants (p = 107 Ω.cm) ont pu être obtenus, toutefois, des mesures optiques ont mis en évidence une forte densité de précipités.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7830G - Infrared and Raman spectra in inorganic crystals.
8110F - Crystal growth from melt.
0510 - Crystal growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- crystal growth from melt -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- infrared spectra of inorganic solids -- precipitation -- semiconductor doping -- semiconductor growth -- thallium -- IR transmission spectra -- CdTe:Tl crystals -- travelling heater method -- semiinsulating -- resistivity -- II VI semiconductor