Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 218-218 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202021800

Compensation in undoped and halogen doped CdTe crystals

R. Stuck, A. Cornet et P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires Laboratoire de Physique des Rayonnements et d'Electronique Nucléaire 67037 Strasbourg, France

Abstract
A theoretical model is proposed which allows the calculation of the concentration of defects in pure and halogen compensated cadmium telluride grown by the THM method. All associations and ionization reactions are described in terms of the law of mass action. The ionization energies of the defects are taken from the energy level diagram established by taking into account the latest experimental data. The concentrations of the different defects calculated for chlorine doped material are in good agreement with that measured using a time of flight method.

Résumé
On propose un modèle théorique permettant de calculer la concentration de défauts existant dans le tellurure de cadmium non dopé et compensé par un halogène lorsque les cristaux sont préparés par THM. Toutes les associations ainsi que les réactions d'ionisation des défauts sont décrites par la loi d'action de masse. Les énergies d'ionisation des défauts sont déduites des derniers résultats expérimentaux relatifs au diagramme des niveaux dans la bande interdite. Les concentrations des différents types de défauts calculées, pour le matériau dopé au chlore, sont en bon accord avec les valeurs mesurées pour la technique du temps de vol.

PACS
7155G - II-VI semiconductors.

Key words
Defect density -- Defect states -- Ionization potential -- Doping -- Impurity -- Halogen addition -- Cadmium tellurides -- Semiconductor materials -- Theoretical study