Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 239-240 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202023900

Electric properties of semi-insulating crystals CdTe : Cl

E.N. Arkadyeva et O.A. Matveev

A. F. Ioffe Physico-Technical Institute of the USSR Academy of Sciences, Leningrad, USSR

Abstract
Hall effect and conductivity measurement are carried out on chlorine doped semi-insulating CdTe crystals, of p and n electric type. In p type crystals the depth of the dominating level is determined (≈ Ev + 0.7 eV) as well as the concentration of associated centres (1013-1014 cm -3). The mobility values are limited by a process of diffusion on heterogeneities.

Résumé
Des mesures d'effet Hall et de conductivité sont effectuées sur des cristaux de CdTe, dopé au chlore, semi-isolants de type p et n. La profondeur du niveau dominant dans les cristaux de type p est déterminée (≈ E v + 0,7 eV) ainsi que la concentration des centres associés (10 13-1014 cm-3). Les valeurs de mobilité sont limitées par un processus de diffusion sur les hétérogénéités.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- chlorine -- deep impurities -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- II VI semiconductors -- Hall effect -- conductivity -- deep levels -- semiinsulating CdTe:Cl -- II VI semiconductor -- p type -- n type -- associated centre concentration -- carrier mobility