Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 249 - 254
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202024900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 249-254 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202024900

Charge carriers transport properties in CdTe measured with time of flight technique

G. Ottaviani

University of Modena, Italy


Abstract
The experimental results of charge carrier transport properties obtained in high resistivity CdTe with time of flight technique is reviewed. The data for electrons and holes measured in Cl and In doped material are presented. The effect of ionized scattering centers are also analysed. A comparison among theory and experiment is made.


Résumé
On passe en revue les résultats expérimentaux obtenus par la méthode du temps de vol sur les paramètres de transport dans le tellurure de cadmium de haute résistivité. On s'intéresse tout d'abord aux mesures effectuées sur les cristaux compensés à l'indium et au chlore, puis on analysera l'influence des centres de diffusion chargés sur la mobilité des électrons et des trous. Finalement, on comparera les résultats expérimentaux à ceux prévus théoriquement.

PACS
0130R - Reviews and tutorial papers: resource letters.
0750 - Electrical instruments and techniques.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- carrier mobility -- electrical conductivity measurement -- II VI semiconductors -- reviews -- time of flight spectra -- charge carrier transport properties -- high resistivity CdTe -- time of flight technique -- CdTe:Cl -- CdTe:In -- ionised scattering centres -- II VI semiconductor