Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 273 - 276
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202027300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 273-276 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202027300

Contribution to the determination of deep trapping levels in high resistivity films of n-type CdTe

C. Lhermitte, D. Carles et C. Vautier

Laboratoire de Physique des couches minces, Faculté des Sciences et de Techniques, Université de Rouen, 76130 Mont-Saint-Aignan, France


Abstract
The study of both the dark conduction and the photoconductivity of n-type CdTe films enables us to emphasize the existence of a distribution of traps located in the band gap and to determine its characteristics : density per unit energy nt # 5 × 1013 cm-3 eV -1 width ΔE = E2 - E 1 # 0.10 eV and position Ec - E 1 = 0.50 eV as well as the position of the Fermi level E c - EFo # 0.66 eV in the band gap.


Résumé
L'étude de la conduction à l'obscurité et de la photoconductivité des couches minces de CdTe de type n nous permet de mettre en évidence l'existence d'une distribution de pièges située dans la bande interdite et d'en déterminer les caractéristiques : densité par unité d'énergie nt # 5 × 1013 cm-3 eV-1, largeur ΔE = E2 - E1 # 0,10 eV et position Ec - E 1 = 0,50 eV ainsi que la position du niveau de Fermi dans la bande interdite Ec - EFo # 0,66 eV.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.

Key words
cadmium compounds -- electron traps -- II VI semiconductors -- photoconductivity -- semiconductor counters -- semiconductor thin films -- deep trapping levels -- high resistivity films -- n type CdTe -- dark conduction -- Fermi level