Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 2, février 1977
Page(s) 293 - 296
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001202029300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 293-296 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202029300

X-ray escape peak variations in diodes made from doubly travelling solvent grown p-type CdTe

H. Jäger et R. Thiel

Battelle-Institut e. V., Am Römerhof 35, 6000 Frankfurt, R. F. A.


Abstract
The dependence of the escape peak height on the applied diode voltage was measured at diodes made from doubly travelling solvent grown CdTe. The crystal was In-doped with a concentration of 2.1 × 1016 cm-3 and p-type with a resistivity of 4 x 106 Ω.cm. The escape peak height saturates at higher voltages. The theoretical dependence of the X-ray escape probability on space charge layer depth was derived. A method for evaluating the experimental curve according to the thoeretical correlation was developped : it yields the actual space charge layer depth and the space charge density.


Résumé
On a étudié la variation de l'intensité du pic d'échappement d'un compteur CdTe en fonction de la tension de polarisation appliquée. Les cristaux sont préparés par double croissance THM et dopés à l'indium à des concentrations de 2,1 x 1016 cm-3, ils sont de type p et présentent une résistivité de 4 × 106 Ω.cm. Lorsque la tension appliquée croît, l'intensité du pic d'échappement tend à saturer. Une étude théorique a permis de calculer la dépendance de la probabilité d'échappement des photons X en fonction de l'épaisseur de la zone de charge d'espace. Une méthode a été développée permettant d'accorder les résultats expérimentaux aux prévisions de notre modèle ; un accord satisfaisant a été obtenu en ce qui concerne l'épaisseur sensible et la densité de la zone de charge d'espace.

PACS
2930K - X and gamma ray spectroscopy.
2940P - Semiconductor detectors.
7340S - Electrical properties of metal semiconductor metal structures.
7870E - X ray emission threshold and fluorescence condensed matter.
7450 - X ray and gamma ray equipment.

Key words
cadmium compounds -- gamma ray spectrometers -- II VI semiconductors -- semiconductor counters -- space charge -- X ray emission spectra -- X ray escape peak variations -- diodes -- p type CdTe -- space charge layer depth -- space charge density