Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 335-338 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202033500

Methods to suppress polarization in chlorine compensated cadmium telluride detectors

P. Siffert, M. Hage-Ali, R. Stuck et A. Cornet

Centre de Recherches Nucléaires, Laboratoire de Physique des Rayonnements et d'Electronique Nucléaire, 67037 Strasbourg, France

Abstract
In a first part of this paper, the different models of polarization developped in the literature are critically analyzed. Then, the origin of the responsible center, its location within the bandgap and its concentration is investigated and discussed. Finally, three methods to suppress this effect are presented, mainly surface oxidation in perhydrol of the etched sample prior to the metal deposition, evaporation of a thin SiOx layer or ion implantation.

Résumé
Dans une première partie de ce travail on passe en revue les différents modèles de polarisation publiés dans la littérature. Puis, on étudie les caractéristiques essentielles du centre profond responsable de cet effet. Finalement, trois méthodes sont présentées qui permettent de s'affranchir de la polarisation : oxydation de la surface préalablement décapée chimiquement dans une solution de perhydrol puis dépôt de l'électrode conductrice, évaporation d'un film de SiOx, implantation ionique.

PACS
2930K - X and gamma ray spectroscopy.
2940P - Semiconductor detectors.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- gamma ray spectrometers -- II VI semiconductors -- oxidation -- polarisation -- semiconductor counters -- surface oxidation -- perhydrol -- ion implantation -- polarisation suppression -- SiO sub x layer evaporation -- Cl compensated CdTe detectors