Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 349-353 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001202034900

Photoscanning of CdTe detectors for investigation of crystal quality and contact behaviour

P.A. Tove et M. Slapa

Electronics Department, Institute of Technology, University of Uppsala, Uppsala, Sweden

Abstract
N and P-type semi-insulating cadmium telluride crystals have been scanned with a 6 328 A laser beam performing a TV-type scan. The current response from the sample under test has been determined as a function of different parameters : nature of the contacts, electric field, polarity. It is demonstrated that information can be obtained on the type of conductivity of the material, its homogeneity, the field distribution and the transport properties of electrons and holes.

Résumé
La surface de cristaux de tellurure de cadmium a été explorée par un faisceau laser émettant à 6 328 A à la manière du balayage d'un tube TV. Le courant photogénéré a été mesuré en fonction d'un grand nombre de paramètres, citons, la nature des contacts, la présence d'un champ électrique, la polarité. On montre qu'il est possible de déduire de ces expériences des renseignements sur le type de conductivité, son homogénéité, la distribution du champ électrique et les propriétés de transport dans la zone désertée.

PACS
2940P - Semiconductor detectors.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- II VI semiconductors -- photoconductivity -- semiconductor counters -- semiconductor materials testing -- CdTe detectors -- crystal quality -- contact behaviour -- current response -- homogeneity -- field distribution -- electron transport -- hole transport -- photoscanning -- 6328 angstrom laser beam