Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 5, mai 1977
Page(s) 763 - 765
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001205076300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 763-765 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205076300

Influence of the annealing on the optical properties of amorphous GeTe films

F. Peinado et I. Sanz Lerma

Facultad de Fisica, Universidad de Navarra, San Sebastian, Espana


Abstract
The variation of the optical absorption coefficient, α, of thermally evaporated a-GeTe films with annealing treatments up to crystallization temperature has been studied. The evolution of α is gradual with annealing temperature, depending on the deposition conditions, but the final values of α are the same for all the observed samples once the material is recrystallized GeTe. No similar situation to the ideal amorphous is reached in this evolution by the GeTe films.


Résumé
Nous avons étudié l'influence du recuit sur le coefficient d'absorption optique, α, de couches minces de GeTe amorphe obtenues par évaporation flash. On a observé une variation graduel avec la température de recuit, qui change un peu d'un échantillon à un autre, mais on arrive toujours quand le GeTe est cristallisé a valeurs d'α égals pour tous les films observés. Ces films de GeTe ne présentent pas dans son évolution avec le recuit une situation pareille à l'idéal amorphe.

PACS
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.

Key words
amorphous semiconductors -- annealing -- germanium compounds -- semiconductor thin films -- amorphous GeTE films -- optical absorption coefficient -- annealing