Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Numéro 5, mai 1977
Page(s) 877 - 883
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001205087700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 877-883 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001205087700

Méthode itérative de calcul des concentrations en éléments donneurs et accepteurs d'un semiconducteur faiblement dopé : application au cas de GaAs de type n

D. Lemoine, C. Pelletier, S. Rolland et R. Granger

Institut National des Sciences Appliquées, Département de Génie Physique, 35031 Rennes Cedex, France


Abstract
Up to now, the methods used to obtain the concentrations of impurities in a semiconductor disregard the actual value of the dispersion factor rH which has been taken constant and equal to 1. However, this dispersion factor is not a constant and its values can reach and even exceed 1.5 in some cases. A numerical iterative method is proposed here for n-GaAs that enable both the value of the dispersion factor r H as a function of temperature and impurity concentrations of the sample to be calculated.


Résumé
Lors de la recherche des concentrations en impuretés dans un semiconducteur, il a toujours été fait abstraction jusqu'à présent de la valeur réelle du facteur de dispersion rH qui a été prise constante et égale à 1. Or, cette valeur peut dans certains cas atteindre et même dépasser 1,5. Une méthode numérique itérative est développée ici dans le cas de GaAs de type n, permettant de calculer à la fois la valeur du facteur de dispersion rH en fonction de la température et les concentrations en impuretés de l'échantillon considéré.

PACS
0260 - Numerical approximation and analysis.
6170W - Impurity concentration, distribution, and gradients.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
III V semiconductors -- impurity distribution -- iterative methods -- semiconductor doping -- weakly doped semiconductor -- GaAs -- dispersion factor -- numerical iterative method -- impurity concentrations -- iterative method -- donor elements -- acceptor elements