Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 1, janvier 1978
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Page(s) | 29 - 37 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:0197800130102900 |
DOI: 10.1051/rphysap:0197800130102900
Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique
M. Orgeret1 et J. Boucher21 C. N. E. S., 18, avenue Edouard-Belin, 31055 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire de Semi-conducteurs, E. N. S. E. E. I. H. T. 2, rue Charles-Camichel, 31071 Toulouse Cedex, France
Abstract
This paper describes a characterization technique which permits the determination of carrier lifetime, bulk diffusion constant and surface recombination velocity without any surface treatment. The measurement to be performed is the study of the microwave transmission in the wafer when it is irradiated by an infrared monochromatic source. A combined space and frequency analysis with a rigorous mathematic model allows by an elementary fitting method to determine directly the physical parameters. Results have been obtained on various resistivity silicon wafers.
Résumé
La méthode de caractérisation utilisée permet la détermination de la durée de vie, de la constante de diffusion des porteurs en volume et des vitesses de recombinaison en surface pour une plaquette semiconductrice standard, sans aucun traitement technologique préalable. Le principe de mesure est de faire l'étude de la variation de la transmission de la plaquette lorsque l'on soumet celle-ci à un flux de photons. Une analyse photofréquentielle associée à un modèle mathématique exact permet de réaliser par identification la détermination des paramètres recherchés. Des résultats ont été obtenus sur des échantillons de silicium de résistivité moyenne et élevée.
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7230 - High frequency effects: plasma effects in electronic transport.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
2520C - Elemental semiconductors.
Key words
elemental semiconductors -- photoconductivity -- silicon -- semiconductor wafer -- photonic injection -- microwave measuring technique -- characterization technique -- carrier lifetime -- bulk diffusion constant -- surface recombination velocity -- microwave transmission -- physical parameters -- monochromatic IR irradiation -- Si wafers