Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 6, juin 1978
Page(s) 293 - 297
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001306029300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 293-297 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:01978001306029300

Surface layers in heat-treated GaAs

J.L. Castaño, J. Piqueras et E. Muñoz

Departamento de Fisica Aplicada & Instituto de Fisica del Estado Sólido (C. S. I. C.), Universidad Autónoma de Madrid Canto Blanco (Madrid) Spain


Abstract
Short-time heat treatments of undoped high-resistivity and Se-doped GaAs samples have been performed in an H2 flow at temperatures from 750 °C up to 850 °C. Surface conductivity changes have been determined by Schottky barrier measurements. After annealings, undoped samples showed a n-p double layer at the surface, while in Se-doped samples only new acceptors were detected.


Résumé
Cet article traite des résultats obtenus en faisant des recuits pendant des durées brèves, d'échantillons de GaAs non dopés à haute résistivité et d'échantillons dopés au Se, placés dans un courant de H2 et sous des températures variant de 750 à 850°C. Les variations de la conductivité en surface ont été déterminées en mesurant la hauteur de barrière Schottky. Après les recuits, les échantillons non dopés présentent une double couche n-p à la surface, alors que les échantillons dopés au Se montrent la présence de nouveaux accepteurs.

PACS
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7325 - Surface conductivity and carrier phenomena.
7340L - Electrical properties of semiconductor to semiconductor contacts, p n junctions, and heterojunctions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2520D - II VI and III V semiconductors.
2530D - Semiconductor metal interfaces.

Key words
annealing -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- p n homojunctions -- Schottky effect -- selenium -- semiconductor metal boundaries -- H sub 2 flow -- temperatures -- Schottky barrier measurements -- annealings -- n p double layer -- acceptors -- short time heat treatment -- 750 degrees C to 850 degrees C -- GaAs:Se -- undoped high resistivity GaAs -- surface conductivity