Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 9, septembre 1978
Page(s) 449 - 455
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001309044900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 449-455 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:01978001309044900

Analyse du processus de formation de la barrière or-silicium

G. Pananakakis1, P. Viktorovitch1 et J.P. Ponpon2

1  Laboratoire d'Electronique, E.R.A. n° 659, E.N.S.E.R.G., 23, avenue des Martyrs, 38031 Grenoble, France
2  Centre de Recherches Nucléaires, Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs, 67037 Strasbourg, France


Abstract
We compare the experimental current-voltage characteristics of gold-silicon Schottky diodes with theoretical curves of MIS structures. We show that the ageing process results from the neutralization of a fixed positive charge at the metal-semiconductor interface, due to oxygen from the ambiant diffusing through the rectifying contact. It is further demonstrated that oxygen behaves like a semiconductor electron trap, which explains the decrease of the neutralization efficiency during the barrier formation and the locking of the photovoltage.


Résumé
Nous comparons les caractéristiques courant-tension sous éclairement de diodes Schottky or-silicium à des courbes théoriques de structures MIS. Nous montrons que l'évolution dans le temps de ces caractéristiques est due à la neutralisation d'une charge fixe positive, située à l'interface métal-semiconducteur, par l'oxygène de l'air qui diffuse à travers le contact métallique et qui se comporte en piège à électrons du semiconducteur.

PACS
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7340N - Electrical properties of metal nonmetal contacts.
2530D - Semiconductor metal interfaces.
2560H - Junction and barrier diodes.

Key words
elemental semiconductors -- gold -- photovoltaic effects -- Schottky barrier diodes -- semiconductor metal boundaries -- silicon -- formation process -- Schottky diodes -- MIS structures -- ageing process -- semiconductor electron trap -- photovoltage -- Au Si barrier -- metal semiconductor interface -- current voltage characteristics