Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 587 - 589
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012058700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 587-589 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012058700

Trends in silicon technology and device research

J. Borel

Without abstract


PACS
8530T - Field effect devices.

Key words
MOSFET circuits -- Silicon -- Semiconductor devices -- MOS technology -- Defects -- Doping -- Etching -- Masking -- Reliability

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