Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 633 - 635
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012063300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 633-635 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012063300

Recombination processes in Al2o3-InSb structures

G. Boucharlat1, G. Kamarinos1, P. Viktorovitch1 et B. Munier2

1  Laboratoire « Physique des Composants à Semiconducteurs » ENSERG, 23, av. des Martyrs, 38031 Grenoble Cedex, France
2  Thomson-CSF, Division Tubes Electroniques, 38120 St-Egrève, France


Abstract
Metal-Insulator-InSb structures, for infrared imaging devices operating in the charge injection mode, have been developed. The sensitivity of devices is conditioned by the generation-recombination processes occurring in the semiconductor. Several methods have been used to study these generation-recombination processes. C(t) experiments in depletion and inversion regime, conductance measurements and photomagnetoelectric effects were performed on Al-Al2O3-n InSb MIS structures, in order to obtain data about recombination processes. These experimental results show a gradient in carriers lifetime which varies from 1 ns at the insulator-InSb interface to 100 ns inside the bulk of InSb.


Résumé
Des structures Métal-Isolant-InSb, utilisables en imagerie infrarouge avec lecture par injection de charge ont été developpées. La sensibilité de ces dispositifs est liée aux processus de génération-recombinaison dans le semiconducteur. Diverses méthodes ont été mises en oeuvre pour étudier ces processus. Les durées de vie des porteurs ont été évaluées à partir de diverses expériences : mesures de capacité transitoire en inversion ou en désertion, mesures de conductance du dispositif, mesures d'effet photomagnétoélectrique. La confrontation de ces résultats permet de conclure à l'existence d'un gradient de durée de vie des porteurs, celle-ci pouvant varier de 1 ns à l'interface, à 100 ns dans le volume du semiconducteur.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
alumina -- aluminium -- capacitance -- electron hole recombination -- indium antimonide -- metal insulator semiconductor structures -- photoelectromagnetic effects -- infrared imaging devices -- charge injection mode -- conductance measurements -- photomagnetoelectric effects -- MIS structures -- Al Al sub 2 O sub 3 InSb structures -- generation recombination processes -- depletion regime -- inversion regime -- carrier lifetime