Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 691-696 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012069100

Analysis of frequency response and noise of CCD structures

S. Donati et F. Montecchi

Istituto di Elettronica, Università di Pavia, 27100 Pavia, Italy

Abstract
A small-signal cell-model of the CCD is proposed, which is shown to account fully for frequency-response and noise performances of the device. The analysis applies both to shift-register (analog or digital) structures and to imaging CCDs, and includes the effects of clock delay, transfer inefficiency, storage and transfer noises, and sampling-generated aliasing (Moiré).

Résumé
On présente un modèle de cellules pour le CCD dans le cas des faibles signaux, qui rend compte complètement de la fonction de filtrage et du bruit donné par le dispositif. L'analyse peut être appliquée soit au registre séquentiel (analogique ou numérique), soit au CCD à image, et comprend les effets des : retard d'horloge, inefficacité du transfert, bruits du stockage et du transfert, et le Moiré dû à l'échantillonnage d'entrée.

PACS
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560S - Other field effect devices.

Key words
charge coupled devices -- electron device noise -- semiconductor device models -- frequency response -- CCD structures -- noise performances -- imaging CCDs -- clock delay -- transfer inefficiency -- small signal cell model -- shift register structure -- sampling generated aliasing -- semiconductor device model