Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 705 - 708
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012070500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 705-708 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012070500

Precision electron beam exposure system, EB52

G. Tatsuno, M. Fujinami, A. Iwata et K. Kinamari

Musashino Electrical Communication Laboratory, N.T.T., 9-11, Midoricho 3-chome, Musashino-shi, Tokyo, 180, Japan


Abstract
A precision electron beam exposure system, EB52, has been developed for mask making and direct wafer exposure for less than 2 μm minimum pattern size. This paper describes the system control method and performance of the system components which are designed considering positioning error factors, and an example of chrome mask fabrication by the system, in which overlay accuracy of ± 0.2 μm has been achieved with deflection distortion correction and beam shift correction using a standard mark on the X-Y stage.


Résumé
Un système d'exposition de rayon électronique précis, EB52, est développé pour masquer et aussi pour l'exposition directe de cachet pour la pointure minimum de configuration moins que 2 μm. On présente la méthode de contrôle du système et le fonctionnement de composant du système qui est projeté considérant le facteur d'erreur de position. On présente aussi un exemple de la fabrication du masque chrome par EB52, dans lequel l'exactitude au-dessus ± 0,2 μm est réalisée avec la correction distortion détournée et la correction de rayon rusé employant la marque standard sur l'étape X-Y.

PACS
2220C - General integrated circuit fabrication techniques.
2550 - Semiconductor device technology.
2550G - Lithography semiconductor technology.
2570 - Semiconductor integrated circuits.

Key words
electron beam lithography -- integrated circuit technology -- masks -- electron beam exposure system -- direct wafer exposure -- system control method -- positioning error factors -- overlay accuracy -- deflection distortion correction -- beam shift correction -- mask fabrication -- large scale integration