Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 715 - 717
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012071500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 715-717 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012071500

n-Type silicon at 77 K : hot carrier noise and not generation recombination noise

J.P. Nougier, D. Gasquet et J.C. Vaissiere

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides Université des Sciences et Techniques du Languedoc, 34060 Montpellier Cedex, France


Abstract
The experimental excess noise current in n-Si at 77 K is compared with the theoretical generation-recombination (GR) noise. The discrepancy between the theory and the experiment shows that the usual formalism describing the GR noise is not valid in that case. The observed noise is either hot carrier diffusion noise, eithe hot carrier GR noise, that is GR noise with electric field dependent parameters.


Résumé
Le courant de bruit mesuré dans Si-n à 77 K est comparé au bruit de génération-recombinaison (G-R) théorique. Le désaccord entre la théorie et l'expérience montre que la formulation habituelle du bruit G-R n'est plus valable dans le cas de porteurs chauds. Le bruit observé est soit du bruit de diffusion de porteurs chauds, soit du bruit G-R de porteurs chauds, c'est-à-dire du bruit G-R dont les paramètres dépendent du champ électrique.

PACS
7270 - Noise processes and phenomena in electronic transport.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
2520C - Elemental semiconductors.

Key words
electron hole recombination -- elemental semiconductors -- hot carriers -- noise -- silicon -- generation recombination noise -- excess noise current -- n Si -- elemental semiconductor -- hot carrier noise