Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 741 - 744
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012074100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 741-744 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012074100

Observations on residual donors in GaP LPE

J. Pfeifer, B. Pödör, L. Csontos et N. Nádor

Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary


Abstract
Electron and donor concentrations and mobilities of non doped liquid phase epitaxial GaP layers were studied when varying the annealing process prior to growth. Main donors or the presence of more than one donor were identified by donor ionization energies. After short anneallings the incorporation of sulphur, after long annealings the incorporation of silicon were observed.


Résumé
Les concentrations d'électrons et de donneurs, et les mobilités des porteurs des couches de GaP non dopées, préparées par l'épitaxie de phase liquide sont étudiées en fonction du traitement thermique précédant la croissance. Les donneurs principaux ou la présence de plus d'un donneur sont identifiés par les énergies d'ionisation des donneurs. On observe une incorporation de soufre après de courts traitement thermiques, tandis qu'après de longs traitements thermiques, on observe une incorporation de silicium.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280E - Electrical conductivity of III V and II VI semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
8115L - Deposition from liquid phases melts and solutions.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
carrier density -- carrier mobility -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- gallium compounds -- Hall effect -- III V semiconductors -- liquid phase epitaxial growth -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- liquid phase epitaxial GaP layers -- annealing -- donor ionization energies -- carrier concentrations -- carrier mobilities -- semiconductor -- impurities -- Hall effect measurements