Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 783-785 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012078300

Chemical vapor deposition and photoluminescence properties of Zn-DOPED GaAs

H. Bruch, H. Martini, K.-H. Bachem et P. Balk

Institute of Semiconductor Electronics/SFB 56 « Festkorperelektronik », Technical University, 5100 Aachen, Federal Republic of Germany

Abstract
An experimental study of the VPE growth of GaAs at 1 023 K from the AsH 3-HCl-Ga-H 2 system yields for the dependence of the hole concentration on the technological parameters : p (300 K) ˜ p HCl·p-1GaCl·p1/2AsH3·p Zn. It is concluded that the process takes place under non equilibrium conditions. The PL intensity depends distinctly on the preparation conditions but does not fit a simple model.

Résumé
L'étude expérimentale de l'accroissement du GaAs obtenu à partir de l'épitaxie en phase gazeuse à 1 023 K montre que la concentration des trous dépend des paramètres technologiques selon : p (300 K) ˜ pHCl·p-1GaCl·p1/2AsH3·p Zn . Nous concluons après cette étude que le processus se déroule de manière déséquilibrée. L'intensité de la photo-luminescence dépend distinctement des paramètres technologiques, mais cette dépendance ne s'explique pas par un modèle simple.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.
7865J - Optical properties of nonmetallic thin films.
8115H - Chemical vapour deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- luminescence of inorganic solids -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- vapour phase epitaxial growth -- zinc -- photoluminescence -- VPE growth -- hole concentration -- GaAs:Zn -- semiconductor -- chemical vapour deposition