Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
Page(s) 791 - 795
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012079100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 791-795 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012079100

Transmission electron microscopical imaging of lateral implantation effects near mask edges in B+-implanted Si wafers

E.F. Krimmel, H. Oppolzer et H. Runge

Forschungslaboratorien der Siemens AG, Muenchen, R.F.A.


Abstract
Transmission electron microscopy (TEM) of cross-sectional specimens is used to image the radiation damage distribution near mask edges in B +-implanted Si structures. The lateral spread of the radiation damage is calculated for arbitrarily shaped mask edges. Agreement between theoretical calculations and experimental results shows the need to take account of lateral spread in ion-implanted very-large-scale-integrated semiconductor devices (VLSI).


Résumé
La microscopie électronique à transmission (TEM) d'échantillons à coupe transversale est utilisée pour illustrer la répartition des altérations par radiation aux contours des masques sur les structures en silicium à implantation B+. La répartition latérale de ces altérations est calculée pour des contours quelconques de masques. Les calculs théoriques et les résultats des expériences concordent et prouvent qu'il est absolument nécessaire de tenir compte de la répartition latérale lors du bombardement ionique des circuits à très grand degré d'intégration (VLSI).

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
2520C - Elemental semiconductors.
2550B - Semiconductor doping.
2550G - Lithography semiconductor technology.

Key words
boron -- elemental semiconductors -- ion beam effects -- ion implantation -- masks -- semiconductor doping -- silicon -- transmission electron microscope examination of materials -- lateral implantation effects -- mask edges -- radiation damage distribution -- Si:B sup + -- transmission electron microscopy -- VLSI -- elemental semiconductor