Numéro |
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Numéro 12, décembre 1978
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Page(s) | 809 - 813 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012080900 |
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012080900
Minority carriers lifetime degradation during ion implanted silicon solar cell processing
M. Finetti, P. Ostoja, S. Solmi et G. SonciniLaboratorio LAMEL-CNR, Via Castagnoli, 1, 40126 Bologna, Italy
Abstract
In this work a silicon solar cell fabrication process based on ion implantation followed by low temperature thermal annealing is analysed. It is shown, by using the surface photovoltage technique, that the base lifetime degradation can be almost completely avoided, so that ion implanted solar cells with high conversion efficiency can be fabricated.
Résumé
Dans cet article on analyse un procédé de fabrication de photopiles solaires au Si basé sur l'implantation ionique suivie par un recuit thermique à basse température. On démontre que par l'utilisation de la technique du photovoltage de surface, la dégradation de la durée de vie de la base peut être presque complètement évitée; c'est pourquoi il est possible de construire des cellules solaires avec un rendement élevé de conversion.
6170T - Doping and implantation of impurities.
7240 - Photoconduction and photovoltaic effects: photodielectric effects.
8630J - Photoelectric conversion: solar cells and arrays.
2550B - Semiconductor doping.
8420 - Solar cells and arrays.
Key words
annealing -- carrier lifetime -- elemental semiconductors -- phosphorus -- photovoltaic effects -- semiconductor doping -- silicon -- solar cells -- surface potential -- ion implantation -- low temperature thermal annealing -- surface photovoltage technique -- base lifetime degradation -- Si solar cell fabrication process -- minority carriers