Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 829-832 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:019780013012082900

Maos non-volatile memory structures with lower bandgap storage layer

F. Stephany, M. Schumacher et P. Balk

Institute for Semiconductor Electronics/SFB 56 « Festkörperelektronik », Technical University, 5100 Aachen, Federal Republic of Germany

Abstract
Introduction of a thin Si3N4 layer in metal-Al 2O3-SiO2-Si (MAOS) memory structures leads to increased charge storage capability and reduced writing voltages for these MANOS structures. O2 annealing significantly affects these properties and the charging mechanism. Preliminary results on charge retention are presented.

Résumé
L'introduction d'une couche mince de Si3N4 dans la structure de mémoire MAOS (métal, Al2O3, SiO2 , Si) augmente le stockage des charges dans la mémoire et réduit les voltages d'inscription pour cette structure MANOS. La recuisson à l'oxygène agit d'une manière significative sur ces propriétés et sur le mécanisme de chargement. Des résultats préliminaires sur la rétention de la charge seront présentés.

PACS
2530F - Metal insulator semiconductor structures.
2560S - Other field effect devices.

Key words
metal insulator semiconductor devices -- semiconductor storage devices -- silicon compounds -- lower bandgap storage layer -- thin Si sub 3 N sub 4 layer -- writing voltages -- MANOS structures -- charge retention -- MAOS nonvolatile memory structures -- O sub 2 annealing