Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 14, Numéro 8, août 1979
Page(s) 743 - 747
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001408074300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 743-747 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001408074300

Linearization of polycrystalline film gauge factors

C.R. Pichard et C.R. Tellier

Laboratoire d'Electronique, Université de Nancy I, C.O. 140, 54037 Nancy Cedex, France


Abstract
A linearized equation is proposed to describe the thickness dependence of the polycrystalline film gauge factor γF. Finally the theoretical variation of γF is represented by a general equation whose form is similar to those related to linearized equations previously derived for analyzing polycrystalline film resistivity and T.C.R. Comparisons of exact and approximate values indicate a deviation less than 10 % over large ranges of the surface scattering specularity parameter, p, the average random distance between grain boundaries, ag, and the ratio, k, of the film thickness to background mean free path.


Résumé
Une équation linéaire est proposée pour décrire la dépendance, en fonction de l'épaisseur, du facteur de jauge γF, d'un film polycristallin. Finalement la variation théorique de γF est représentée par une équation générale dont la forme est similaire à celle correspondant aux équations linéarisées, préalablement obtenues pour l'étude de la résistivité de films polycristallins et de leur T.C.R. Des comparaisons des valeurs exactes et approchées montrent une déviation inférieure à 10 % sur des domaines étendus du coefficient de diffusion spéculaire p, de la distance moyenne entre les joints de grains ag, et du rapport k de l'épaisseur du film au libre parcours moyen.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7360 - Electrical properties of thin films and low dimensional structures.

Key words
electrical conductivity of solids -- thin films -- polycrystalline film gauge factors -- linearized equation -- thickness dependence -- resistivity