Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 14, Numéro 9, septembre 1979
Page(s) 815 - 820
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01979001409081500
Rev. Phys. Appl. (Paris) 14, 815-820 (1979)
DOI: 10.1051/rphysap:01979001409081500

The temperature dependence of the electrical properties of thin tellurium films

A. De Vos1 et D. Van Dhelsen2

1  Nationaal fonds voor wetenschappelijk onderzoek
2  Laboratorium voor elektronica en meettechniek, Rijksuniversiteit Gent, Sint Pietersnieuwstraat 41, B-9000 Gent, Belgium


Abstract
The Hall mobility μ and the concentration p of the holes in thin evaporated Te films of 130 Å thickness is investigated as a function of the temperature. From the temperature dependence of the mobility, it is shown that the dominant scatterer of the holes are grain boundaries and that the Petritz-model is valid. From the temperature dependence of the carrier concentration, it is shown that the films are doped with various acceptors, which are uniformly distributed in the forbidden energy gap.


Résumé
La mobilité de Hall μ et la concentration p des trous dans les couches minces évaporées en Te de 130 Å d'épaisseur sont étudiées en fonction de la température. La façon dont la mobilité dépend de la température, montre que le plus important mécanisme de diffusion des trous sont des joints de grains et que le modèle de Petritz est valable. La façon dont la concentration des porteurs de charge dépend de la température, montre que les couches sont dopées avec différents accepteurs, qui sont distribués uniformément dans la bande interdite.

PACS
7220M - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects semiconductors/insulators.
7280C - Electrical conductivity of elemental semiconductors.
7360F - Electronic properties of semiconductor thin films.
2520C - Elemental semiconductors.

Key words
carrier density -- electronic conduction in crystalline semiconductor thin films -- elemental semiconductors -- Hall effect -- semiconductor thin films -- tellurium -- vacuum deposited coatings -- temperature dependence -- electrical properties -- Hall mobility -- thin evaporated Te films -- dominant scatterer -- grain boundaries -- carrier concentration -- 130 angstroms