Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 1, janvier 1980
Page(s) 1 - 8
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019800015010100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 1-8 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:019800015010100

Rôle des centres profonds dans la dégradation lente des dispositifs électroluminescents

J.C. Brabant

Laboratoire de Physique des Solides , I.N.S.A., av. de Rangueil, 31077 Toulouse, France


Abstract
The gradual degradation of electroluminescent devices is usually think to be due to a non radiative recombination process of injected carriers on the deep centres located in the active layer. The recent experiments trend towards : - the characterization and identification of these centres, - the study of their migration mechanisms. The characterisation techniques used - D.L.T.S., photocapacitance, electro- and photoluminescence... - allowed to detect some deep centres associated with the degradation of such devices. The origin of the defects and the migration process observed under working conditions are discussed.


Résumé
La dégradation lente des dispositifs électroluminescents est généralement attribuée à la recombinaison non (ou faiblement) radiative des porteurs injectés sur des centres profonds qui se concentrent et se fixent dans le volume de la zone active. Les expériences récentes s'efforcent : - d'une part de caractériser et d'identifier les défauts responsables ; - d'autre part, d'étudier les mécanismes de migration et de fixation des défauts dans la zone active. Diverses techniques ont été mises en oeuvre : nous citons la D.L.T.S., la photocapacitance, l'électro- et la photoluminescence. Elles ont permis de détecter dans les différentes couches épitaxiales, la présence d'un petit nombre de centres profonds directement liés à la dégradation du dispositif, et de suivre l'évolution de leur concentration au cours de tests de vieillissement en régime de fonctionnement. Des hypothèses sur l'origine de ces défauts, et les solutions parfois proposées pour leur élimination sont discutées : faces latérales, substrat, zone protonée... Des mécanismes de migration en régime de fonctionnement et de fixation de ces défauts vers la zone active sont exposés.

PACS
4260 - Electroluminescent devices.

Key words
deep levels -- electron hole recombination -- luminescent devices -- photoluminescence -- deep centres -- degradation -- electroluminescent devices -- non radiative recombination process -- injected carriers -- active layer -- migration mechanisms -- characterisation techniques -- photocapacitance -- photoluminescence -- DLTS