Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 33-36 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:0198000150103300

Niveaux profonds associés aux dislocations « 60° » dans les semiconducteurs de structure sphalérite

J.L. Farvacque¹ et D. Ferré<sup>2

1</sup>  Laboratoire de Structure et Propriétés de l'Etat Solide , Université des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
²  Laboratoire de Spectroscopie Hertzienne, Université des Sciences et Techniques de Lille, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France

Abstract
Extrinsic levels associated to « 60° » dislocations in ionic crystals critically depend on the variation of the Madelung term in the dislocation core. It is shown that it is essentially a consequence of the removal of half an atomic plan and not of the lattice distorsion introduced by the strain field. The calculation clearly leads to the existency of deep levels associated to both type of « 60° » dislocations available in sphalerite structures.

Résumé
Les niveaux extrinsèques associés aux dislocations « 60° » des semiconducteurs ioniques dépendent de façon critique de la variation du terme de Madelung au coeur de la dislocation. On montre que celle-ci provient essentiellement du retrait d'un demi-plan atomique et non de la distorsion introduite par le champ de déformation. Le calcul conduit à l'existence de niveaux profonds associés aux deux types de dislocations « 60° » des structures sphalérites.

PACS
6170G - Dislocations: theory.
7155 - Impurity and defect levels.

Key words
semiconductors -- dislocations -- semiconductors -- zincblende structure -- ionic crystals -- Madelung term -- dislocation core -- atomic plan -- lattice distortion -- strain field -- sphalerite structures -- deep levels -- extrinsic levels