Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 2, février 1980
Page(s) 311 - 322
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001502031100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 311-322 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001502031100

The study of defects in type-IV semiconductors by Mössbauer spectroscopy

M. van Rossum, G. Langouche, J. de Bruyn, M. de Potter et R. Coussement

Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, Leuven University, 3030 Leuven, Belgique


Abstract
The paper discusses the use of Mössbauer Spectroscopy for the study of defects in semiconductors. Some recent experiments are presented which involve the implantation of deep centers in Si, Ge and diamond.


Résumé
L'article discute l'apport de la spectroscopie Mössbauer à l'étude des défauts dans les semiconducteurs. A titre d'illustration, nous présentons quelques résultats expérimentaux sur l'implantation de centres profonds dans Si, Ge et diamant.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7680 - Mossbauer effect: other gamma ray spectroscopy in condensed matter.

Key words
crystal defects -- germanium -- ion implantation -- radiation effects -- silicon -- Mossbauer spectroscopy -- Mossbauer effect -- hyperfine interactions -- radiation damage -- implantation of deep centres -- Si -- Ge -- diamond -- C -- type IV semiconductors -- deep levels -- elemental semiconductors