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Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 2, février 1980
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| Page(s) | 311 - 322 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001502031100 | |
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 311-322 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001502031100
Instituut voor Kern- en Stralingsfysika, Leuven University, 3030 Leuven, Belgique
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7680 - Mossbauer effect: other gamma ray spectroscopy in condensed matter.
Key words
crystal defects -- germanium -- ion implantation -- radiation effects -- silicon -- Mossbauer spectroscopy -- Mossbauer effect -- hyperfine interactions -- radiation damage -- implantation of deep centres -- Si -- Ge -- diamond -- C -- type IV semiconductors -- deep levels -- elemental semiconductors
DOI: 10.1051/rphysap:01980001502031100
The study of defects in type-IV semiconductors by Mössbauer spectroscopy
M. van Rossum, G. Langouche, J. de Bruyn, M. de Potter et R. CoussementInstituut voor Kern- en Stralingsfysika, Leuven University, 3030 Leuven, Belgique
Abstract
The paper discusses the use of Mössbauer Spectroscopy for the study of defects in semiconductors. Some recent experiments are presented which involve the implantation of deep centers in Si, Ge and diamond.
Résumé
L'article discute l'apport de la spectroscopie Mössbauer à l'étude des défauts dans les semiconducteurs. A titre d'illustration, nous présentons quelques résultats expérimentaux sur l'implantation de centres profonds dans Si, Ge et diamant.
6170T - Doping and implantation of impurities.
6180J - Ion beam effects.
7680 - Mossbauer effect: other gamma ray spectroscopy in condensed matter.
Key words
crystal defects -- germanium -- ion implantation -- radiation effects -- silicon -- Mossbauer spectroscopy -- Mossbauer effect -- hyperfine interactions -- radiation damage -- implantation of deep centres -- Si -- Ge -- diamond -- C -- type IV semiconductors -- deep levels -- elemental semiconductors