Numéro
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Numéro 3, mars 1980
Page(s) 671 - 674
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001503067100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 671-674 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001503067100

YAG photoluminescence of GaAs : Cr

B. Deveaud1, A.M. Hennel2, 3, W. Szuszkiewicz2, 3, G. Picoli1 et G. Martinez2

1  Centre National d'Etudes des Télécommunications (CPM/PMT), 22301 Lannion, France
2  Université Pierre-et-Marie-Curie, Laboratoire de Physique des Solides , 75250 Paris Cedex 05, France
3  Institute of Experimental Physics, Warsaw University, 00-681 Warszawa, Poland


Abstract
We have performed photoluminescence experiments, using two excitation sources : a YAG laser and a krypton laser, on a series of Chromium doped GaAs samples. The carrier concentration of the samples ranges from 1018 (n-type) to p-type (lightly doped). Three bands of photoluminescence at 0.57 eV, 0.61 eV and 0.839 eV are associated with Chromium. Their respective variations with excitation source and Fermi level position are reported. A tentative explanation in terms of the Configurational-Coordinate model for the (Cr 3+-Cr2+) centre is presented.


Résumé
Nous avons étudié en photoluminescence une série d'échantillons de GaAs dopés chrome. Deux sources d'excitation ont été utilisées : un laser YAG et un laser krypton. La concentration en porteurs libres des échantillons est comprise entre 1018 cm-3 (type n) et type p (faiblement dopé). Trois bandes de photoluminescence sont attribuées au chrome : 0,57 eV, 0,61 eV et 0,839 eV. Nous présentons leurs variations respectives en fonction de la source d'excitation et de la position du niveau de Fermi. Nous proposons un modèle, en termes de coordonnée de configuration, qui pourrait expliquer la plupart des propriétés observées.

PACS
7855D - Photoluminescence in tetrahedrally bonded nonmetals.
2520D - II VI and III V semiconductors.
4220 - Luminescent materials.

Key words
chromium -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- impurity and defect absorption spectra of inorganic solids -- photoluminescence -- photoluminescence -- GaAs:Cr -- YAG laser -- carrier concentration -- n type -- p type -- excitation source -- Fermi level position -- Cr sup 3+ Cr sup 2+ -- configurational coordinate model